Файлы cookie: 0
IP адрес: 3.238.72.122
Версия протокола: HTTP/1.1
Локальный порт: 37164
Hardware
Распайка штекер питания m4 4,8 1,7 mm, разъем питания зарядки ноутбука
Распиновка проводов кулера, схема разъема 3-pin
Зависимость размера кластера от объема раздела жесткого диска
Пропал звук в наушниках ноутбука после установки Linux
Universal Serial Bus (USB)
Типы сокетов
Оперативная память (RAM)
Integrated Drive Electronics (IDE)
Навигация: Главная - Hardware - Оперативная память DDR2 SDRAM
Double-data-rate two synchronous dynamic random access memory - синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, (второе поколение) - это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.
Более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее - в середине 2004. Основное отличие DDR2 от DDR - способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).
Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR - вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Итоговые задержки оказываются выше, чем для DDR.
Микросхемы памяти DDR2 производятся в новом корпусе типа BGA (FBGA).
Напряжение питания микросхем: 1,8 В
Потребляемая мощность: 247 мВт
Интерфейс ввода-вывода: SSTL_18
Burst Length: 4/8
Prefetch Size: 4-bit
Новые функции: ODT, OCD Calibration, Posted CAS, AL (Additive Latency)
Преимущества по сравнению с DDR
Более высокая полоса пропускания
Как правило, меньшее энергопотребление
Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению